저항 결합회로를 이용한 Cellular CDMA용 저잡음 증폭기의 구현

전중성; 김동일; Joong-Sung Jeon; Dong-Il Kim

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한국정보통신학회 논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)

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한글제목(Korean Title)	저항 결합회로를 이용한 Cellular CDMA용 저잡음 증폭기의 구현
영문제목(English Title)	Development of the Low Noise Amplifier for Cellular CDMA Using a Resistive Decoupling Circuit
저자(Author)	전중성 김동일 Joong-Sung Jeon Dong-Il Kim
원문수록처(Citation)	VOL 02 NO. 04 PP. 0635 ~ 0641 (1998. 12)
한글내용 (Korean Abstract)	본 논문에서는 셀룰러 CDMA 기지국 및 중계기의 수신부에 사용되는 크기가 작은 824 ∼ 849 MHz용 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier)를 저항 결합회로를 사용하여 구현하였다. 사용된 저항 결합회고는 반사되는 전력이 정합회로내의 저항에서 소모되므로 반사계수가 작아지고, 안정도도 개선되며 저잡음 증폭기의 설계시 입력단 정합에 용이하였다 저잡음 증폭기의 설계 제작에는 저잡음 GaAs FET인 ATF-10136과 내부정합된 MMIC인 VNA-25를 이용하였으며, 알루미늄 기구물안에 RF 회로와 자체 바이어스(Self-bias) 회로를 함께 장 착시켰다. 이렇게 제작된 저잡음 증폭기는 35dB이상의 이득과 0.9dB이하의 잡음지수, 18.6dBm의 P1dB, P1dB 출력레벨에서 10dB back off 시켰을때 31.17dB의 IM3를 얻었다.
영문내용 (English Abstract)	This paper presents development of a small size LNA operating at 824 ∼ 849 MHz used for a receiver of a CELLULAR CDMA Base station and a transponder. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA and is suitable for input stage matching. The LNA consists of low noise GaAs FET ATF-10136 and internally matched VNA-25. The LNA is fabricated with both the RF circuit and the self-bias circuits in aluminum housing. As a result, the characteristics of the LNA implemented here shows above 35dB in gain and below 0.9dB in noise figure, 18.6dBm P1dB power, a typical two tone IM3, -31.17dB with single carrier backed off 10dB from P1dB.
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